三星電子近日披露，未來(lái)幾年內(nèi)會(huì)陸續(xù)在中國(guó)內(nèi)地投入多達(dá)70億美元資金，用于建設(shè)多座新工藝工廠，包括使用最先進(jìn)的10nm級(jí)別NAND閃存工藝。
三星考慮的第一座工廠將落址陜西西安，預(yù)計(jì)投資23億美元，很快就會(huì)建成投產(chǎn)，可制造10nm級(jí)別工藝的NAND閃存，以滿足不斷猛增的市場(chǎng)需求。
韓國(guó)證券投資公司(Korea Investment & Securities)分析師徐元奭(Seo Won-seok)指出：“如此一座工廠可能會(huì)創(chuàng)下整個(gè)產(chǎn)業(yè)的規(guī)模之最。對(duì)于NAND閃存來(lái)說(shuō)，中國(guó)會(huì)成為一個(gè)關(guān)鍵的生產(chǎn)地，可與韓國(guó)并駕齊驅(qū)。”
至于其它47億美元的投資去向，三星還沒(méi)有披露更詳細(xì)的計(jì)劃，不過(guò)其中不少也會(huì)和NAND閃存有關(guān)。
業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，中國(guó)龐大的人口和眾多的電子代工廠將推動(dòng)其在未來(lái)數(shù)年內(nèi)成為全球最大的NAND閃存消費(fèi)國(guó)，盡快在這里建設(shè)相應(yīng)的閃存工廠，并在中長(zhǎng)期的未來(lái)擴(kuò)大產(chǎn)能也在情理之中。
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本文標(biāo)題：三星未來(lái)幾年內(nèi)將在華投資70億美元建廠
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