【IT商業新聞網訊】2月4日消息，三星電子近日研發出了世界首款40納米1G DDR2 動態內存（1納米等于十億分之一米），預計2010年正式量產。
據了解，40納米內存與目前普遍使用的50、60納米內存相比，芯片面積更小，同時可以在低電低壓的環境下運行。1.2V環境下運行的40納米內存能夠比50納米1.5V內存減耗30%以上，從而為服務器等高耗能設備提供更加環保高效的能源解決方案。
三星電子同時透露，在2009年還將實現40納米2G DDR3的研究和開發，該產品將比去年9月量產的50納米2G DDR3生產效率提高約60%。（編輯：Kobe）
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本文標題：三星電子研制出首款40納米內存 2010年正式量產
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