【IT商業(yè)新聞網(wǎng)訊】日本東芝公司日前宣布，該公司開(kāi)發(fā)出容量128兆比特、數(shù)據(jù)傳輸速度每秒1.6吉字節(jié)的非易失鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FeRAM），創(chuàng)下世界非易失隨機(jī)存儲(chǔ)器容量和速度兩項(xiàng)最高記錄。 非易失隨機(jī)存儲(chǔ)器在斷電后不會(huì)丟失數(shù)據(jù)。而鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器以鐵電物質(zhì)為原料，通過(guò)施加電場(chǎng)，依靠鐵電晶體的電極在兩個(gè)穩(wěn)定態(tài)之間轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫。鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器具備非易失、讀寫速度快、工作電壓低、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，但是在容量方面一直沒(méi)有突破�！ |芝公司發(fā)布新聞公報(bào)說(shuō)，該公司此次改良了獨(dú)有的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)構(gòu)造，該構(gòu)造能防止存儲(chǔ)單元尺寸縮小導(dǎo)致的信號(hào)衰減。這一改良提高了存儲(chǔ)器的集成度，以128兆比特的容量實(shí)現(xiàn)了非易失隨機(jī)存儲(chǔ)器的世界容量之最�！ ”敬伍_(kāi)發(fā)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器還采用與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）相同的DDR2接口，從而實(shí)現(xiàn)了在提高系統(tǒng)性能的同時(shí)減少耗電量的目標(biāo)。 東芝公司稱，新開(kāi)發(fā)的非易失鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器將來(lái)有望用作手機(jī)等各種移動(dòng)設(shè)備的主存，和筆記本、固態(tài)硬盤的緩存。（編輯：Kobe）
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第三代固態(tài)硬盤將成主流 速度快價(jià)格低壽命長(zhǎng)
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本文標(biāo)題：東芝開(kāi)發(fā)出大容量高速非易失隨機(jī)存儲(chǔ)器
地址：http://www.oumuer.cn/a/xie/20111230/207410.html
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