4月22日消息，韓國電子公司三星宣布，因英特爾推出5500系列Xeon服務器處理器，刺激需求增長，公司決定增加50奈米制程技術的DDR3 DRAM之產能。
DDR3是第三代的雙倍數據率同步動態隨機存取內存。三星和其它公司相信DDR3將在今年底前，成為DRAM技術產業的主流。然而有些分析師，包括Needham & Co. LLC的Edwin Mok等，則認為DDR3今年內，尚無法攻下太多市占率。
三星表示，OEM廠商能夠為其DDR3設計容量達192GB的服務器，且耗電量較采用DDR2之機種少60%，系統效能也將高出兩倍。
新認證的DDR3芯片，執行速度規格有每秒800、1066、1333兆位等。同時，相較于60 奈米制程技術的DDR3 DRAM，每秒1333兆位的芯片可以省下40%電力。 （編輯：王小凡）
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