12月14日消息，據(jù)國外媒體報道，據(jù)《韓國時報》報道，內(nèi)存芯片廠商海力士半導體計劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬億韓元（約20億美元），比2009年的資本開支增加一倍。
這項開支有1.5萬億韓元（大約13億美元）用于DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，剩余的8000億韓元（約7億美元）用于NAND閃存和邏輯芯片的生產(chǎn)。
這篇報道引述消息靈通人士的話說，海力士看到了1GBDDR3內(nèi)存的需求超過了預期。這篇報道還預計海力士在2010年將在全球DRAM市場擴大領(lǐng)先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢。
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本文標題：海力士2010年半導體生產(chǎn)開支將增加一倍
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